熔炼炉 用于 太阳能硅锭制造，也可以用于其他半导体材料提纯。 特点 控制度高，结晶速度自由调节 采用石墨电阻或感应加热熔炼法，增加溶液搅拌，熔炼速度快 定向凝固保温采用特制加热电源 具有三相电流平衡，维护费用低 采用恒温度控制仪，可设置148段加热工艺曲线 炉室采用高真空炉体，真空度高，抽气速度快   主要技术参数 熔炼容量：10-450KG 电源功率：40-450KW     设计温度：≥1700℃ 工作温度：1550℃ 升温速率：40℃/Min   炉温均匀性：±5℃      极限真空度：6.67×10-2P  压升率：    0.01PL/S      额定充气压力：0.05Mp     铸锭方式：坩埚下降/保温桶提升定向凝固 伺服控制范围：0.01mm-6mm/Min  定向凝固速率：0.01mm-0.5mm/Min  坩埚快速返回速度：80-100 mm/Min .汉和工业设备|||熔炼炉